TSMC به دنبال ساخت تراشه های 3، 4 و 2 نانومتری

0
۳۶,۴۸۰

کمتر کسی است که نام شرکت تایوانی TSMC به گوشش نخورده باشد، چرا که استفاده از تلفن های همراه امروزی نیازمند پردازنده های ساخته شده به دست مهندسان این شرکت است. این شرکت به تازگی و در 26 ـمین گردهمایی فنی خودش رسما تایید کرد که کار بر روی پردازنده های ساخته شده با فناوری لیتوگرافی 5 و 6 نانومتری را به اتمام رسانده و اکنون پردازنده های زیادی را با این فناوری به تولید انبوه رسانده است. این شرکت در ادامه اعلام کرد که بزودی نسخه پیشرفته تر از پردازنده های ساخته شده با فناوری 5 نانومتری را برای سال آینده به بازار عرضه خواهد کرد.

علاوه بر این، شرکت تی اس ام سی به صورت رسمی اعلام کرد که توسعه تکنولوژی پیشرفته فناوری تولید 3 و 4 نانومتری را در دست توسه دارد که این خبر بسیار خوبی برای هواداران است، چرا که با کوچکترشدن اندازه پردازنده ها، مصرف انرژی در آنها کاهش یافته و به همین میزان، قدرت پردازشی پردازنده نیز افزایش می یابد. از پردازنده های 4 نانومتری به عنوان نسخه بسیار بهبود یافته پروسسور های 5 نانومتری یاد می شود و از نوع 3 نانومتری آنها به عنوان جایگزین واقعی پردازنده های 5 نانومتری.

از نظر شاخص های فنی، این شرکت تایوانی سال آینده فرایند تولید پردازنده های 3 نانومتری را آغاز خواهد کرد، چرا که ریسک این کار بسیار بالاست و هنوز شرکتی موفق به ساخت چنین چیزی نشده است. تولید انبوه چنین سیستم هایی تا سال 2022 به اجرا در خواهد آمد. در مقایسه با فناوری ساخت 5 نانومتری (که هم اکنون گفته می شود پردازنده های آیفون جدید از این نوع هستند)، سیستم روی چیپ 3 نانومتری بین 25 تا 30 درصد مصرف انرژی کمتری داشته و در حدود 10 تا 15 درصد کارایی آن افزایش خواهد یافت. از طرفی پروسه ساخت پردازنده هایی با لیتوگرافی 4 نانومتری نیز برای سال آینده برنامه ریزی شده است و در پایان سال 2022 به صورت انبوه تولید آنها شروع خواهد شد. طبق اعلام شرکت TSMC، هزینه تمام شده برای خریداران از پردازنده های 5 نانومتری به 4 نانومتری کاهش خواهد یافت.

البته این را نیز باید در نظر داشته باشید که تی اس ام سی تنها تولید کننده پردازنده های 3 نانومتری نیست و شرکت کره ای و سابقه دار سامسونگ که سهامی هم در این شرکت دارد، جاه طلبی های خود را آغاز کرده و قصد دارد سال آینده این فرایند تولید را به بازار عرضه کند. در بحث تکنولوژی تولید هسته ها، سامسونگ قرار است از فناوری Gate All Arund یا همان GAA استفاده کند که در این روش ترانزیستور ها در اطراف دروازه محیط مورد نظر قرار می گیرند اما شرکت TSMC به همان فناوری FinFET (in field-effect transistor) ترانزیستور اثر میدان برجسته اکتفا خواهد کرد.

TSMC به دنبال دستیابی به فناوری ساخت 2 نانومتری

بنابر گفته های این شرکت، آنها در حال ساخت یک مرکز جدید R&D هستند تا بتوانند فناوری ساخت 2 نانومتری را نیز مهندسی کند. در این مرکز قرار است بیش از هشت هزار مهندس کاربلد اقدام به ساخت پردازنده های 2 نانومتری برای تی اس ام سی را بر عهده بگیرند. هر چند که، این شرکت مکان دقیق راه اندازی این مرکز توسعه را اعلام نکرده است. با این اوصاف، گزارش های رسیده می گویند که این مرکز قرار است در اطراف Nanke Industrial Park احداث شود. همچنین باید اشاره کرد که شرکت TSMC به تازگی یک شرکت با نام the polarized light plant را به مبلغ 3.65 میلیارد دلار تایوان (125 میلیون دلار) خریداری کرده است تا تولیدات جدیدش را در آنجا آغاز کند. البته در زمان خرید این مکان، تی اس ام سی اشاره ای نکرده بود که قرار است از این بخش برای توسعه فناوری 2 نانومتری استفاده کند.

بنابر افزایش بسیار شدید سفارشات، کمپانی TSMC میلیارد ها دلار تایوان را برای سرمایه گذاری بر روی فناوری های ساخت جدیدتر سرمایه گذاری کرده است تا بتواند این تکنولوژی را زودتر از رقبا و به تعداد بالا تولید نماید. این سرمایه گذاری ها برای توسعه فرایند تولید جدید ضروری است. در حال حاضر، خواه سامسونگ یا TSMC، هر دو به دنبال روند تولید صنعت نیمه هادی با فناوری 3 نانومتری هستند. تحقیق و توسعه فناوری 3 نانومتری اساسا کامل شده است اما تمام آنچه باقی مانده است ساخت کارخانه تولید انبوه است. با اینکه این بخش به اندازه مرحله تحقیق و توسعه طول نمی کشد. با این حال، این بستگی به در دسترس بودن سرمایه گذاری دارد. همچنین گفته می شود که این شرکت در حال حاضر بیش از یک میلیارد چیپ با فناوری 7 نانومتری تولید کرده است و از این حیث از رقیب بزرگترش شرکت اینتل که هنوز بر روی فناوری 14 نانومتری کار می کند کیلومتر ها جلوتر است.

نظر شما در این باره چیست؟ آیا سال آینده پردازنده های جدید قادر به رقابت با رایانه های شخصی هستند؟

[تعداد: 1    میانگین: 5/5]

دیدگاهتان را بنویسید

لطفاً دیدگاه خود را وارد کنید
Please enter your name here